[发明专利]制造显示器件的方法无效
| 申请号： | 200410102238.1 | 申请日： | 1997-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1624875A | 公开（公告）日： | 2005-06-08 |
| 发明（设计）人： | 立崎舜平;小山润;尾形靖 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/84;H01L21/00;G02F1/136;G02F1/00;G09G3/36 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使用薄膜晶体管(TFT)获得具有高特性的激励电路一体型(单片型)的有源矩阵显示器件。通过在非晶质硅膜203中一边添加镍元素，一边进行加热处理使其结晶化，并且还在含有卤素元素的氧化性气氛中进行加热处理，形成热氧化膜209。此时，可改善结晶性、对镍元素去气。用这样得到的硅结晶膜制作TFT，用此构成各种电路，能够获得驱动点数为5万以上300万以下的有源矩阵电路的数据激励器电路。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 显示 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造显示器件的方法，该显示器件包括有源矩阵电路和数据激励器电路，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在基板上形成非晶质半导体膜；给非晶质半导体膜供给催化元素；将所述被供给以催化元素的非晶质半导体膜结晶化；在所述已结晶的半导体膜的部分之上形成掩模；将磷和硼导入所述已结晶的半导体膜的一个选区内；并且，对所述催化元素进行去气处理，使其去到所述选区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
