[发明专利]光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410098796.5 | 申请日： | 2004-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1638215A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 金子刚 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/18;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有预定的多层绝缘层并包括面发光型半导体激光器和光检测元件的光元件及其制造方法。该光元件(100)包括：面发光型半导体激光器(140)，其包括在衬底(101)的上方从衬底侧配置的第一反射器(102)、活性层(103)及第二反射器(104)；光检测元件(120)，其包括在面发光型半导体激光器的上方从面发光型半导体激光器侧配置的第一接触层(111)、光吸收层(112)及第二接触层(113)；形成于衬底上方的第一绝缘层(30)；形成于面发光型半导体激光器上方的第二绝缘层(40)；第一绝缘层覆盖至少包括第二反射器一部分的第一柱状部(130)的侧面，第二绝缘层覆盖至少包括第二接触层一部分的第二柱状部(132)的侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光元件，包括：面发光型半导体激光器，其包括在衬底的上方从所述衬底侧配置的第一反射器、活性层、以及第二反射器；光检测元件，其包括在所述面发光型半导体激光器的上方从所述面发光型半导体激光器侧配置的第一接触层、光吸收层、以及第二接触层；第一绝缘层，其形成于所述衬底的上方；第二绝缘层，其形成于所述面发光型半导体激光器的上方；所述第一绝缘层覆盖第一柱状部的侧面，所述第一柱状部至少包括所述第二反射器的一部分，所述第二绝缘层覆盖第二柱状部的侧面，所述第二柱状部至少包括所述第二接触层的一部分。
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