[发明专利]一种机械化学抛光方法无效
| 申请号： | 200410096844.7 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1786275A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 徐永宽;刘春香;杨洪星;吕菲 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C23F3/00 | 分类号： | C23F3/00 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 吴永亮 |
| 地址： | 300220天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种机械化学抛光方法。该方法包括以下步骤：(1)将晶片放在抛光机上进行常规机械化学抛光，包括初试轻压和重压阶段；(2)在重压抛光结束后进入最终轻压阶段，停止抛光液供给，供给一定流量的清洗溶液，直到抛光结束。所用清洗溶液为水溶液，溶剂包含表面活性剂，浓度最好控制在10ppm到20％之间。清洗溶液还可包含pH值调节剂或者氧化剂，各成分的浓度都控制在10ppm到20％之间为好。清洗溶液可减小抛光布与晶片的摩擦力，从而减少晶片飞片现象，也降低了出现晶片划道的几率。本发明还提高晶片的亲水性，去除抛光液颗粒更有效，并有利于后续清洗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 机械 化学抛光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种机械化学抛光方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将晶片放在抛光机上进行常规机械化学抛光，包括初试轻压和重压阶段；(2)在重压抛光结束后进入最终轻压阶段，停止抛光液供给，供给一定流量的清洗溶液，直到抛光结束。
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