[发明专利]金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法有效
| 申请号： | 200410096819.9 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1645744A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;李冬梅;王旭波;曾飞 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。此方法通过注入离子使金刚石表面电阻率大大降低，导电能力极大增强，从而替代原有的沉积导电薄膜。不需要沉积Al薄膜，也不需要刻蚀过程。因此，操作大大简化，同时器件的抗功率承受力也极大增强。本方法不需要沉积导电薄膜，也不需要刻蚀过程，因而制备工艺大大简化。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 表面波 器件 多层 薄膜 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法，其特征在于：该方法是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。
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