[发明专利]偏转变形校正系统和方法以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410095956.0 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1606130A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | 太田拓见;中杉哲郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能以优良的精度且短的时间校正由偏转器引起的偏转变形的偏转变形校正方法。该偏转变形校正方法包括：作为初始设定把偏转带电粒子束的偏转区域等分为多个初始分区的过程(S101)；计算对于多个初始分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的初始位置偏差量的过程(S102～S104)；根据初始位置偏差量的变化率把偏转区域分割为多个主分区的过程(S105)；计算对于多个主分区的每个分区将带电粒子束偏转而照射时产生的主位置偏差量的过程(S106～S108)；以及基于主位置偏差量计算用于校正偏转变形的校正值的过程(S109)。 | ||
| 搜索关键词： | 偏转 变形 校正 系统 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种偏转变形校正方法，其特征在于，包括：作为初始设定把偏转带电粒子束的偏转区域等分为多个初始分区的过程；计算对于上述多个初始分区的每个分区将上述带电粒子束偏转而照射时产生的初始位置偏差量的过程；根据上述初始位置偏差量的变化率把上述偏转区域分割为多个主分区的过程；计算对于上述多个主分区的每个分区将上述带电粒子束偏转而照射时产生的主位置偏差量的过程；以及基于上述主位置偏差量计算用于校正偏转变形的校正值的过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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