[发明专利]砷化镓单晶的生长方法无效
| 申请号： | 200410093025.7 | 申请日： | 2004-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1657659A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 周国清;董永军;徐军;钱晓波;李晓清;苏凤莲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤包括：①坩埚和生长炉的预烧处理，②晶体生长，③高温原位退火。采用本发明方法生长的砷化镓单晶具有位错密度低、热应力小和均匀性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种砷化镓单晶的生长方法，其特征在于采用双加热温度温梯炉进行生长，具体步骤如下：①坩埚和生长炉的预烧处理：在坩埚未装原料的情况下，对于氮化硼坩埚和生长炉内的装置进行高温预烧结处理，具体做法：对双加热温度梯度炉抽真空，真空度小于6×10-3Pa后，以50-150℃/小时的速率升温到1300-1500℃，保温24～48小时，降温速率为50-150℃/小时，降至室温后打开炉罩；②晶体生长过程：将定向好的砷化镓籽晶放入氮化硼坩埚的籽晶槽中，将坩埚置于坩埚定位棒的圆形凹槽内，在坩埚中放入按比例混合好的原料，氮化硼坩埚上覆盖氧化铝刚玉板，将炉体的其它组件装配到位，放下钟罩；打开真空系统对生长炉抽高真空，当真空度小于6×10-3Pa后，充入高纯保护氩气或氮气，气压为0.01～0.05MP；启动生长控制程序，升温速率为10-100℃/小时，升温至1300-1500℃，恒温3～12小时，以2～10℃/小时速率降温至900～1100℃；③高温原位退火：当砷化镓晶体结晶结束后，炉内温度降至900～1100℃时，保温1～30小时，退火结束后，以5～20℃/小时降至室温，晶体生长完毕。
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