[发明专利]氟代环烯烃聚合物及在深紫外类光刻胶中的应用有效

专利信息
申请号: 200410091156.1 申请日: 2004-11-22
公开(公告)号: CN1779569A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 罗杰·森特;陈昕;黄志齐;郑金红 申请(专利权)人: 北京科华微电子材料有限公司;北京化学试剂研究所
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;G03F7/004;G03F7/20
代理公司: 北京金富邦专利事务所有限责任公司 代理人: 孙伯庆;揭玉斌
地址: 101113北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及到单体、聚合物以及由此制备的适用于深紫外光源、尤其是ArF光源的光刻工艺光刻胶,又称光致抗蚀剂。本发明中新型的聚合物包括共聚物和三聚物,具体可用化学结构式1表示。其中氟代环烯烃单体中的R1可以是氢原子或本文所定义的酸不稳定悬挂基团,R2为C1~C10的烷基、卤素或三氟甲基。所述结构式1的共聚单体中的R3为卤素、氢原子或烷基,R4、R5、R6为说明书所定义的叔脂环基团。
搜索关键词: 氟代环 烯烃 聚合物 深紫 光刻 中的 应用
【主权项】:
1.一种化学增幅型正型光刻胶,其特征在于一种不溶于碱、但在酸的作用下又能在碱液中溶解的成膜树脂,其组成为:(a)一种由化学式1表示的单元,它是含有一种氟化的环烯烃重复链节的单体,其中:R1为H原子或一种酸不稳定基团,R2为C1~C10的烷基、卤素或三氟甲基,(b)一种单体单元,是一种含有能抑制在碱性水溶液中溶解的酸不稳定碳氢脂环酯基团,其中R3为卤素、H原子或含酸不稳定保护基的烷基,R4、R5、R6中为叔脂环基,(c)一种单体单元,是一种任何能与环烯烃单体进行自由基共聚的第三单体;该成膜树脂含有5~40%的单体单元(a),15~45%的单体单元(b),45~55%的单体单元(c);含有光致产酸剂和碱性添加剂。
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