[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
申请号: | 200410091113.3 | 申请日: | 2004-11-18 |
公开(公告)号: | CN1627166A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | 金景旭;金汎俊;金圣万;安炳宰;宋荣九;孔香植 | 申请(专利权)人: | 三星电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;H01L29/786 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜阵列面板,其包括:一门线,其形成在一基板上;一第一绝缘层,其形成在该门线上;一半导体层,其形成在该门绝缘层上;一数据线,其形成在该门绝缘层上并且与该门线相交;一漏极,其至少形成在该半导体层上;一导体,其与该数据线平行排列;一第二绝缘层,其形成在该数据线、该漏极以及该导体上,并且具有一第一接触孔,该第一接触孔曝露该漏极的一部分;以及一像素电极,其形成在该第二绝缘层上、通过该第一接触孔连接到该漏极上、完全覆盖该数据线。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,其包含:一门线,其形成在一基板上;一第一绝缘层,其形成在该门线上;一半导体层,其形成在该门绝缘层上;一数据线,其形成在该门绝缘层上并且与该门线相交;一漏极,其至少形成在该半导体层上;一导体,其与该数据线平行排列;一第二绝缘层,其形成在该数据线、该漏极以及该导体上,并且具有一第一接触孔,该第一接触孔曝露该漏极中的一部分;及一像素电极,其形成在该第二绝缘层上、通过该第一接触孔连接到该漏极上、完全覆盖该数据线。
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