[发明专利]能改善漏电流与崩溃的浅沟渠隔离结构工艺

摘要

本发明提供一种能改善漏电流与崩溃的浅沟渠隔离结构工艺，它是对已完成浅沟渠刻蚀工艺的半导体基底进行高温氧化，以形成一衬氧化层，来修补浅沟渠刻蚀时的损伤，随后移除衬氧化层，而以氧化氮或一氧化二氮作为气氛的回火工艺，在浅沟渠表面形成具较佳绝缘功效的氧－氮－氧化物层，接着沉积一填满浅沟渠的氧化物层，而避免通常的浅沟渠结构具有漏电流与崩溃等问题。

主权项

1.一种能改善漏电流与崩溃的浅沟渠隔离结构工艺，包括下列步骤：提供一半导体基底；在该半导体基底上依次形成一垫氧化层、一氮化硅层与一图案化光阻层；以该图案化光阻为掩膜，刻蚀该氮化硅层、该垫氧化层及该半导体基底，以形成多个浅沟渠，而后移除该图案化光阻层；对该半导体基底进行一高温氧化工艺，以在该浅沟渠表面形成一衬氧化层，而后移除该衬氧化层；在该浅沟渠表面形成一氧-氮-氧化物层；以及在该半导体基底表面形成一氧化物层，使其填满该浅沟渠，而后去除该半导体基底表面多余的该氧化物层与该氮化硅层，以形成沟渠式隔离组件。