[发明专利]用于调节半导体器件的载流子迁移率的结构和方法有效
| 申请号： | 200410087007.8 | 申请日： | 2004-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1612327A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·B·多斯;杨海宁;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在制造互补的金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管(包括nMOS和pMOS晶体管)的过程中，根据层和隔离应力层相互的以及在选定位置具有附加层的其它结构的性能，通过将各种不同的应力膜涂覆到nMOS或pMOS晶体管(或其两者)上来提高或调节载流子迁移率。这样，可增大单一芯片或基片上的两种晶体管的载流子迁移率，从而改善CMOS器件和集成电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 调节 半导体器件 载流子 迁移率 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调节半导体器件中的载流子迁移率的方法，其包括以下的步骤：将第一应力膜淀积在包括第一和第二晶体管的晶片上，以便在晶体管的沟道中产生应力，局部去除掉所述第一应力膜，以便消除掉其中一个所述晶体管的沟道中的所述应力，将第二应力膜淀积在第一和第二晶体管上，以便将第二应力施加到已去除掉所述第一应力膜的晶体管的沟道上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
