[发明专利]溅射装置无效
| 申请号： | 200410085983.X | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1611631A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 太田达男;中野智史;德弘节夫 | 申请（专利权）人： | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够高速形成高性能的光学薄膜的溅射装置。本发明的溅射装置90的真空室2内具有圆筒状或平板状的至少两个靶材料63、和使上述靶材料的外表面附近产生磁场的磁铁80。其特征在于：设两个靶材料的外表面之间的间隔为d1、设上述靶材料的外表面与衬底表面之间的间隔为d2时，满足下式1，d1≤3d2(式1)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种溅射装置，用于把薄膜涂层涂覆到衬底上，该溅射装置包括：真空室；在所述真空室内的至少两个圆筒状的靶或两个平板状的靶；以及至少两个并列地分别置于各个靶上的磁铁，用于在该靶的外表面附近产生磁场；其中，1)所述薄膜涂层通过在把电压施加到各个磁铁上的同时，向所述真空室中导入放电气体而形成；2)在所述真空室中满足公式(1)d1≤3d2其中，d1是两个靶的外表面之间的距离，d2是两个靶的外表面与衬底之间的任一个距离。
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