[发明专利]晶片清洗方法与设备有效
| 申请号： | 200410083298.3 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1591779A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 宫崎邦浩;火口隆司;中岛俊贵;松尾弘之 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;大日本斯克林制造株式会社;精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种晶片清洗方法，其特征在于包括下列步骤：将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片；测量包括化学溶液和清洁水的溶液的电阻率，并将该测量值对时间微分；以及用清洁水持续清洗晶片，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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