[发明专利]环绕栅极场效应晶体管

摘要

形成具有环绕、垂直对准、双栅电极的场效应晶体管。以具有埋入硅岛的绝缘硅(SOI)结构开始，通过在SOI结构内产生空腔，垂直参考边缘被限定并且在能够可靠进行的两个回刻蚀步骤期间被使用。第一回刻蚀以第一距离除去随后在其上方使用栅极导体材料的氧化层的一部分。第二回刻蚀以第二距离除去所述栅极导体材料的一部分。第一和第二距离之间的差限定了最终器件的栅极长度。在剥离氧化层之后，露出在所有四个侧表面上环绕所述埋入硅岛的垂直栅电极。

主权项

1、一种用于在处理晶片上形成环绕栅极场效应晶体管的方法，包括如下步骤：在所述处理晶片上形成一绝缘硅结构、即SOI结构，该SOI结构包括一在第一氧化层和第二氧化层之间的硅岛；在所述SOI结构中产生从所述SOI结构的顶部表面延伸到所述处理晶片的一第一空腔，该第一空腔具有基本垂直的侧壁并且与所述硅岛交叉；各向同性地蚀刻所述空腔内的所述第一氧化层和所述第二氧化层，由此露出所述硅岛的表面部分；在所述表面部分上淀积一栅极导体材料；以及各向同性地蚀刻所述栅极导体材料以形成一包围所述硅岛外围的环绕栅电极。