[发明专利]不导电基底的金属化方法和由此形成的金属化的不导电基底无效
| 申请号： | 200410081714.6 | 申请日： | 2004-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1637166A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | T·J·佩雷特 | 申请（专利权）人： | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C28/02 | 分类号： | C23C28/02;C03C17/06;C03C25/46;H01L31/0203 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了金属化不导电基底的方法。该方法包括：(a)提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；(b)通过非电镀在该暴露的不导电表面上形成第一个镍层；和(c)使用pH为2至2.5的溶液通过电镀在第一个镍层上形成第二个镍层。该不导电基底可以是例如光纤。此外公开了通过本发明的方法制备的金属化的不导电基底和金属化的光纤，以及包含这种金属化的光纤的光电子封装。可以在光电子产业中在光纤的金属化和形成密封光电子器件封装中得到具体的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 基底 金属化 方法 由此 形成 | ||
【主权项】：
1.金属化不导电基底的方法，该方法包括：(a)提供不导电基底，该基底具有暴露的不导电表面；(b)通过非电镀在该不导电表面上形成第一个镍层；和(c)使用pH为2至2.5的溶液通过电镀在第一个镍层上形成第二个镍层。
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