[发明专利]半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法无效
| 申请号： | 200410080410.8 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1756010A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 林涛;江李;陈芳;刘素平;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/32;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半绝缘衬底长波长半导体激光器，主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道；其中，P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底；一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构，该激光器材料结构制作在半绝缘铟磷衬底上；一二氧化硅介质层，该二氧化硅介质层蒸发溅射在材料结构上；一双沟脊形波导区，该双沟脊形波导区采用湿法刻蚀的方法制作在激光器材料结构上；一P面电极层，该P面电极层制作在双沟脊形波导区上；所述的隔离沟道是采用湿法刻蚀的方法形成的，该隔离沟道的外侧为一N面电极区，该隔离沟道形成有一台阶结构；这种结构保证了激光器的P面电极和N面电极共面。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 衬底 波长 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半绝缘衬底长波长半导体激光器，其特征在于：主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道；其中，P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底；一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构，该激光器材料结构制作在半绝缘铟磷衬底上；一二氧化硅介质层，该二氧化硅介质层蒸发溅射在材料结构上；一双沟脊形波导区，该双沟脊形波导区采用湿法刻蚀的方法制作在激光器材料结构上；一P面电极层，该P面电极层制作在双沟脊形波导区上；所述的隔离沟道是采用湿法刻蚀的方法形成的，该隔离沟道的外侧为一N面电极区，该隔离沟道形成有一台阶结构；这种结构保证了激光器的P面电极和N面电极共面。
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