[发明专利]防静电陶瓷墙地砖及其制备方法无效
申请号: | 200410077668.2 | 申请日: | 2004-12-28 |
公开(公告)号: | CN1693289A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 吴建青;汪永清;汪显异;赵英;毛旭琼;陈雄飞 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学;佛山钻石陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B41/86 | 分类号: | C04B41/86;C04B33/13;C04B33/34;C03C8/22 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种防静电的陶瓷墙地砖及其制备方法。所述墙地砖是在陶瓷坯体(1)表面依次涂覆坯釉过渡层(2)、防静电釉层(3),周边涂覆有防静电釉层(4)。其制备方法包括:半导体氧化物与釉料按20-40∶80-60重量比例混合,球磨后过筛除铁,制备成釉浆;所述半导体氧化物包括SnO2、TiO2、ZnO中的一种或多种混合物;在陶瓷坯体表面施坯釉过渡层,然后干燥;将制备的釉浆施在坯釉过渡层表面形成防静电釉层,干燥;周边涂覆制备的釉浆,烧成。本发明的防静电陶瓷墙地砖可用于防静电场所的墙面及地面的铺贴,具有优良、耐久的防静电功能,并兼有陶瓷墙地砖的美观、防火、不起尘、耐腐蚀等优点。 | ||
搜索关键词: | 静电 陶瓷 地砖 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种防静电陶瓷墙地砖,其特征在于在陶瓷坯体(1)表面依次涂覆坯釉过渡层(2)、防静电釉层(3),周边涂覆有防静电釉层(4);防静电釉层(3)和(4)的表面电阻率为1.0×105~1.0×109Ω。
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