[发明专利]在半导体器件中形成金属线的方法无效
| 申请号： | 200410074891.1 | 申请日： | 2004-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1617324A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 金兑京 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示一种在一半导体器件内形成一金属线的方法，其包括以下步骤：按顺序在其上已形成次结构的一半导体衬底上形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成用于在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案内来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的所得结构上形成一第三绝缘薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成金属线的方法，其包括以下步骤：在其上已形成次结构的一半导体衬底上，按顺序地形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜来于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案中来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的该所得结构上形成一第三绝缘薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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