[发明专利]多晶硅薄膜晶体管制造方法无效
| 申请号： | 200410073655.8 | 申请日： | 2004-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1744292A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴永富;陈志强;陈振铭 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅薄膜晶体管制造方法，主要包括有下列步骤：于完成前置处理的玻璃基板上定义出一多晶硅主动区(polysilicon－island)；依序形成一栅极氧化层(gate oxide)及第一金属层；图案化处理该第一金属层，以定义出栅极；形成一光敏性介电层；图案化该光敏性介电层及该栅极氧化层，以形成数个接触窗；形成一穿透式象素电极层，并图案化处理该穿透式象素电极层；形成一反射式象素电极层，并图案化处理该反射式象素电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅薄膜晶体管制造方法，其步骤包括：(a)于完成前置处理的玻璃基板上定义出一多晶硅主动区；(b)依序形成栅极氧化层及第一金属层；(c)图案化处理该第一金属层，以定义出栅极；(d)形成一光敏性介电层；(e)图案化处理该光敏性介电层及该栅极氧化层，以形成数个接触窗；(f)形成第二金属层，并图案化处理该第二金属层；(g)形成一象素电极层，并图案化处理该象素电极层，定义出象素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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