[发明专利]多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法无效
| 申请号： | 200410072928.7 | 申请日： | 2004-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1638154A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 靳正国;邱继军 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L21/36 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，首次采用CH3CH2OH来取代CH3CN作溶剂，用一步流化反应取代两步流化反应，制取性能稳定、组成可控的CuInS2、Cu(ln，Ga)S2等多元硫属半导体光电薄膜，用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳能电池。本发明的阳离子前驱体溶液的组分及重量比为CuCl2∶GaCl3∶InCl3＝0.25∶0∶0.37～0.47∶0.22∶0.73，重量单位为克，以50mlCH3CH2OH为溶剂，H2S为硫源，pH值为3～5，在室温下进行制备；经过渡膜和热处理后制得所需的光电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多元 光电 薄膜 连续 离子 相反 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法，包括如下步骤：(A)前驱体溶液的配制：阳离子前驱体溶液的组分及重量比为CuCl2∶GaCl3∶InCl3＝0.25∶0∶0.37～0.47∶0.22∶0.73，重量单位为克；以50ml CH3CH2OH为溶剂，H2S为硫源，PH值为3～5，在室温下进行制备；(B)镀膜：a、将衬底浸入混合阳离子前驱体溶液中表面吸附10～20秒，然后以5～10cm/min的速度提拉成膜；b、通入N2气干燥10～20秒，流速为20～50ml/min；c、常温下通入H2S气体进行硫化反应，流速为20～50ml/min；d、再次通入N2气吹扫10～20秒，流速为20～50ml/min；e、将这个循环反复进行10～40次，制得所需厚度的硫属半导体多元薄膜；(C)热处理：所制薄膜在N2气氛保护及气流速30～50ml/min下，热处理合成多元的光电薄膜，热处理温度为400～550℃，热处理时间1～2小时；
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410072928.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
