[发明专利]陶瓷膜及其制造方法和半导体装置及压电元件有效
| 申请号： | 200410071215.9 | 申请日： | 2001-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1566024A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 名取荣治;古山晃一;田崎雄三 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;王景朝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 陶瓷膜的制造方法，包括使原材料体20结晶化而下层陶瓷膜30的过程，原材料体20，以种类不同的原料混合存在的状态含有，种类不同的原料彼此存在在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方相互不同的关系。按照本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷膜 及其 制造 方法 半导体 装置 压电 元件 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷膜的制造方法，其特征在于：包含形成叠层了多个原料层的原料体层的工序和通过使上述原料体层结晶化从而形成陶瓷膜的工序，上述原料体层中的最上层的原料层，比与该最上层的原料层接触的下层的原料层的结晶化温度低，而且得到的结晶不具有层状结构。
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