[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410070923.0 | 申请日： | 2004-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1591782A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 田中稔彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。伴随着半导体器件的高速化和高集成化的发展，同时要求形成微细的栅极图形和微细而且高密度的图形。在实现该要求的现有技术中，虽然有全面细线化法和移相器边缘移相曝光法等，但是，前者会产生栅极电极布线也与栅极图形同时变细、布线部分易于断线、成品率低的问题。后者则由于移相器间的干涉和移相器配置的制约等关系而存在着会受到强的布局限制的问题。为了同时解决这些问题，本发明提供高集成而且具有极细的栅极电极的半导体器件的制造方法。在形成了抗蚀剂图形后，向所要的部分照射DUV或电子束以使抗蚀剂有选择地细线化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：具有在半导体衬底上形成线状感光性覆膜图形的步骤；对上述线状感光性覆膜的一部分照射能量束使之变细的步骤；把经照射能量束而变细后的线状感光性覆膜图形转印到上述半导体衬底的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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