[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410069690.2 | 申请日： | 2004-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1577775A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;今井馨太郎;前川慎志;古野诚;中村理 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其制造工艺通过提高材料的利用率而被简化。本发明的制造半导体器件的方法包含的步骤有：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上叠加栅极绝缘层、半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀半导体层和包含一种导电型杂质的半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及利用第二导电层作掩模刻蚀第一导电层种包含一种导电型杂质的第二半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：用微滴喷射法在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极；在栅电极上层叠栅极绝缘层、第一半导体层和包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴喷射法在和栅电极重叠的位置形成用作掩模的第一导电层；利用第一导电层刻蚀第一半导体层和包含一种导电型杂质的第二半导体层；用微滴喷射法在第一导电层上形成用作源极布线或漏极布线的第二导电层；以及用第二导电层做掩模刻蚀第一导电层和包含一种导电型杂质的第二半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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