[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410068603.1 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1591903A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 小野瑞城;石原贵光 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具备：半导体衬底；配置在上述半导体衬底表面上的源极区和漏极区；配置在上述半导体衬底表面上、被上述源极区和上述漏极区夹在中间的沟道区；由至少含有配置在上述半导体衬底表面的上述沟道上的第1绝缘膜、在该第1绝缘膜上的含有金属的第2绝缘膜和在该第2绝缘膜上的含有金属的第3绝缘膜的叠层构造构成的栅极绝缘膜；配置在上述第3绝缘膜上的栅极电极，其特征在于：上述第2绝缘膜的介电系数比上述第1绝缘膜的介电系数和上述第3绝缘膜的介电系数之积的平方根高。
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