[发明专利]信息处理结构体

摘要

本发明是通过单电子动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子电路的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极电极(12)的正上方，形成纳米级大小的多个量子点(13)，在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息，构成为设置成电源的一个电源电极，使之与量子点接触，在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，设置2个信息电极(15)，使之与量子点接触，量子点与信息电极进行电容耦合，电子根据由信息电极决定的电位，利用库仑阻断现象通过量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。

主权项

1.一种信息处理结构体，特征在于：形成排列了多个微小导电体或者微小半导体的第1量子点列，在该第1量子点列的量子点间形成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，与上述第1量子点列两端的量子点接触至少形成2个第1信息电极，上述第1信息电极与上述量子点列两端的量子点以电荷载体不能够移动的电容结耦合，与位于上述第1量子点列中心的量子点接触形成电源电极，在该电源电极与位于上述第1量子点列中心的量子点间，以电荷载体不能够移动的电容结耦合，与位于上述第1量子点列中心的量子点接触，形成排列了多个微小导电体或者微小半导体的第2量子点列，在该第2量子点列的另一端形成第2信息电极，在上述第2量子点列的量子点间以及在上述第2量子点列与上述第2信息电极之间形成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，位于上述第1量子点列中心的量子点与上述第2量子点列一端的量子点以电荷载体不能够移动的电容结耦合，在上述电源电极上加入电压，使得上述第1量子点列的电位分布以位于上述第1量子点列中心的量子点为中心形成波谷，设置在位于上述第1量子点排列中心的量子点上的电荷载体根据由上述第1信息电极的电压决定的电位分布、利用热波动向上述第1信息电极的某一方移动或者不移动。