[发明专利]测量薄的SI/SIGE双层中的晶体缺陷的方法有效
| 申请号： | 200410068370.5 | 申请日： | 2004-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1601274A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·W·拜德尔;基思·E·佛格尔;德温得拉·K·萨达纳 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G01N31/00 | 分类号： | G01N31/00;G01N33/00;G01N21/88 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 此处公开用于刻画SiGe合金层上的薄Si层中的晶体缺陷的方法。该方法使用对Si具有高度缺陷选择性的缺陷腐蚀剂。将Si腐蚀至缺陷坑能达到下层SiGe层的厚度。然后使用与缺陷腐蚀剂相同或不同的第二腐蚀剂，腐蚀坑下的SiGe层而保持Si完整。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 si sige 双层 中的 晶体缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.用于描绘Si/SiGe双层结构中的晶体缺陷的方法，包含下列步骤：用对Si具有缺陷选择性的缺陷腐蚀剂来第一腐蚀在SiGe合金层上具有Si层的结构，以在Si层中形成至少一个与SiGe合金层接触的坑缺陷；以及用与第一腐蚀相同或不同的腐蚀剂来第二腐蚀含有该至少一个坑缺陷的结构，从而第二腐蚀下切该至少一个坑缺陷下方的SiGe层。
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