[发明专利]晶化方法，晶化设备，处理衬底，薄膜晶体管及显示器设备无效
| 申请号： | 200410064008.0 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1585094A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 十文字正之;小川裕之;松村正清;平松雅人;木村嘉伸;谷口幸夫;加藤智也 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L29/786;G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 设备 处理 衬底 薄膜晶体管 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种晶化方法，该晶化方法通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜，其特征在于，包括：相对于从激光光源发射的该激光束的入射角和光强度的至少之一进行均匀化；将已均匀化的激光束的光强度分布调制为周期性地重复单调增加和单调减少的光强度分布；将具有已调制的光强度分布的该激光束辐照到该非单晶半导体薄膜并熔化该部分非单晶半导体薄膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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