[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，这种方法包括如下步骤：在半导体基板上形成栅极；在半导体基板表面上形成接合区；在所得的半导体基板构造上形成第一BPSG层；对第一BPSG层进行化学机械抛光过程；在第一BPSG层上形成第二BPSG层；形成定位填充接触体；在所得的半导体基板构造上沉积多晶硅层；对多晶硅层、第二BPSG层与氮化物硬质掩膜进行第二次化学机械抛光过程。使用对于氮化物层具有高抛光选择性的酸性泥浆来进行化学机械抛光过程，因此可除去在晶胞区与周围区的阶段差，因而简化半导体制造方法，并去除去了凹陷现象。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：i)在半导体基板的上表面上形成具有氮化物硬质掩膜的栅极；ii)在所述半导体基板表面上，在栅极之间形成接合区；iii)在所得的半导体基板构造上形成第一BPSG层，使得栅极被第一BPSG层所覆盖；iv)使用具有介于氧化物层与氮化物层之间的高抛光选择性的酸性泥浆对第一BPSG层进行化学机械抛光过程，使得每个栅极的氮化物硬质掩膜被曝露出来；v)在已经通过化学机械抛光过程抛光的第一BPSG层上形成第二BPSG层；vi)通过蚀刻第二BPSG层与第一BPSG层形成定位填充接触体，其同时曝露出形成在栅极之间的接合区；vii)在所得的半导体基板构造上沉积多晶硅层，使得定位填充接触体充满多晶硅层；viii)使用酸性泥浆对多晶硅层、第二BPSG层与氮化物硬质掩膜进行第二次化学机械抛光过程，使得定位填充同质体与栅极接触，同时被形成在栅极之间的接合区分开。