[发明专利]薄膜磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 200410062470.7 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1719520A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 中山正俊 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜磁头，其特征在于：至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，且其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。该保护膜对薄膜磁头的构成部件的粘结力高、耐久性优异、并且可进一步薄膜化，并提供制造工序少、以及廉价的薄膜磁头的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁头，其特征在于：至少在与记录介质对向的表面具有保护膜，该保护膜含有Si、C及H，其中Si为3～9at％、C为61～81at％、H为16～30at％，其膜厚为1～3nm，其折射率在2.0或其以上。
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