[发明专利]抑制栅极氧化膜劣化的方法有效
| 申请号： | 200410062127.2 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1638046A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 俞景东 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/314;H01L21/3115;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种抑制因高密度等离子体导致晶体管栅极氧化膜劣化的方法。在形成栅电极之后，将杂质注入到间层绝缘膜表面，由此改变该间层绝缘膜的表面特性，以此方式来分散属于该间层绝缘膜劣化因素的紫外线。由此，防止紫外线渗透至栅极绝缘氧化膜中。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 栅极 氧化 膜劣化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括下列步骤：在半导体基板上形成栅电极；在包含该栅电极的半导体基板上形成间层绝缘膜；以及注入杂质至该间层绝缘膜中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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