[发明专利]一种基于纳米碳管的互连方法无效
| 申请号： | 200410060914.3 | 申请日： | 2004-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1604303A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 吴昕;刘胜;张鸿海;范细秋;贾可;胡晓峰;甘志银;汪学方 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米碳管的互连方法，包括：在硅基底上用电子束蒸发一层厚度为20～200nm的铝膜；采用阳极氧化法将铝膜制备成多孔氧化铝模板；根据硅基底的互连需要，采用曝光、湿法显影和干法刻蚀，制作开有通孔的掩膜板；将开有通孔的掩膜板置于多孔氧化铝模板上，掩膜板的通孔与硅基底上需要互连的位置对准，采用微湿含浸法在氧化铝模板的孔底部种植催化剂金属；在催化剂金属上，采用化学气相淀积的方法制备纳米碳管束。本发明的优点是：能够有效控制纳米碳管束的生长方向、直径和长度，获得所需的互连结构，满足了小节距(小于20μm)，大功耗(超过200watts)，高频率(20～50GHz)的芯片互连要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米碳管的互连方法，其特征在于：包括(1)在硅基底上，用电子束蒸发一层厚度为20～200nm的铝膜；(2)采用阳极氧化法将铝膜制备成多孔氧化铝模板；(3)根据硅基底的互连需要，采用曝光、湿法显影和干法刻蚀，制作开有通孔的掩膜板；(4)将开有通孔的掩膜板置于多孔氧化铝模板上，掩膜板的通孔与硅基底上需要互连的位置对准，采用微湿含浸法在氧化铝模板的孔底部种植催化剂金属；(5)在催化剂金属上，采用化学气相淀积的方法制备纳米碳管束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
