[发明专利]薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法无效
| 申请号： | 200410060389.5 | 申请日： | 2004-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1638273A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | N·－H·休恩赫 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H03H9/54 | 分类号： | H03H9/54;H03H9/64;H01L41/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜体声波共振器阶梯滤波器及其接地方法。一种FBAR阶梯滤波器，其在通带边缘附近的阻带可产生较已知接地FBAR阶梯滤波器为小的降级。为此目的，薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具有多个串联耦合的FBAR细件，各串联耦合的FBAR组件包括一上部金属电极及下部金属电极，及多个并联耦合的FBAR组件，各并联耦合的FBAR组件包括提供地面节点的一上部金属地面电极及一下部金属电极，薄膜体共振器(FBAR)阶梯滤波器具至少一电容器组件，其包括一上部金属电极及一下部金属电极，其中各电容器组件串联耦合于两地面节点之间，使得并联耦合的FBAR组件的电感耦合得以补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 共振器 阶梯 滤波器 及其 接地 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜体声波共振器(thin film bulk acoustic wave resonator，FBAR)阶梯滤波器，包括：提供于模具的多个串联耦合FBAR组件，每一串联耦合FBAR组件包括上部金属电极及下部金属电极；提供于该模具的多个并联耦合FBAR组件，每一并联耦合FBAR组件包括提供地面节点的上部金属地面电极及下部金属电极，至少一电容器组件提供于该模具，每一电容器组件包括上部金属电极及下部金属电极，其中每一电容器组件系串联耦合于两地面节点之间使得并联耦合FBAR组件的电感耦合被补偿。
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