[发明专利]晶体管制造方法和电光装置以及电子仪器有效
| 申请号： | 200410059264.0 | 申请日： | 2004-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1577894A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 汤田坂一夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有顶端栅极结构的晶体管中，利用涂敷法形成栅极绝缘薄膜的一部分。此时，适当设定其上形成涂敷薄膜的半导体薄膜的尺寸，以对应于涂敷液体，涂敷条件，以及涂敷薄膜中需要的薄膜厚度的特性。改进了晶体管的电特性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制造 方法 电光 装置 以及 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，包括步骤：在衬底之上形成半导体薄膜；以岛状结构使所述半导体薄膜形成图案；在所述半导体薄膜上形成栅极绝缘薄膜；以及在所述栅极绝缘薄膜上形成栅极电极，其中：形成所述栅极绝缘薄膜包括由涂敷方法形成至少构成部分所述栅极绝缘薄膜的第一绝缘薄膜。
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