[发明专利]磁头装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200410057527.4 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1591661A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤明广;佐藤秀治 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G11B21/21 | 分类号： | G11B21/21;G11B5/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够改进滑块和支撑部件间的导通性，能够抑制设在上述滑块上的记录及/或再生用的薄膜元件的静电破坏的磁头装置及其制造方法，在通过装置(42)在滑块的滑块接合面上涂布导电性树脂后，再通过装置(42)对上述导电性树脂(40)下的绝缘层(41)外加电压。由此破坏上述绝缘层(41)的绝缘。因此，使上述导电性树脂膜(40)和上述舌片(24a)间的导通性良好，由此提供一种可提高支撑部件和滑块间的导通性，与以往相比，能够有效抑制薄膜元件的静电破坏(ESD)的磁头装置。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁头装置，包括具有记录用及/或再生用的薄膜元件的滑块、和支撑上述滑块的支撑部件，在上述支撑部件的滑块接合面的至少一部分上介由导电性树脂膜接合上述滑块；在上述滑块接合面的表面形成绝缘层，上述绝缘层至少在一部分的区域引起绝缘破坏，并在引起了上述绝缘破坏的区域上形成上述导电性树脂膜。
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