[发明专利]对NA－σ曝光设置和散射条OPC同时优化的方法和装置无效
| 申请号： | 200410055272.8 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1577099A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | D·F·S·苏;A·利布岑 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06F17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种基于目标布局对光刻系统的数值孔径(“NA”)和西格马因子进行优化的方法、程序产品和装置。对图案进行节距或者间距分析以确定设计的临界节距的分布。根据该节距或者间距分析确定临界密集节距。对参数NA、西格马－内和西格马－外进行优化，使得印制临界特征可以通过偏置调整或者不需要偏置调整而进行。对于除了临界特征之外的特征，根据OPC进行调整，因而光刻装置设置进一步得到相互优化。因此，对任何图案，光刻装置设置可以通过兼顾OPC得到优化。 | ||
| 搜索关键词： | na 曝光 设置 散射 opc 同时 优化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对光刻装置设置进行优化和对基板表面上将形成的图案的光学近似修正(OPC)进行优化的方法，所述方法包括以下步骤：(a)识别临界密集节距并对应到第一临界特征和第二临界特征；(b)对于该临界特征确定最佳光刻装置设置；(c)根据该临界特征的分析执行OPC；(d)对其它临界特征执行OPC调整；和(e)对其它的临界特征优化光刻装置设置。
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