[发明专利]改善栅极多晶硅层电阻值的方法无效
| 申请号： | 200410054376.7 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1747135A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金平中 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善栅极多晶硅层电阻值的方法，它利用硅、锗或氟的离子对栅极结构的栅极非晶硅层进行离子注入，并且在对半导体衬底进行退火工艺来缓和轻掺杂所造成的半导体衬底损伤时，同时使栅极非晶硅层成长形成较大的硅晶粒结构，从而有效地减少栅极多晶硅层在电子传递时，电子受到晶界阻碍的机率，进而降低栅极多晶硅层电阻值较高的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 栅极 多晶 硅层电 阻值 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善栅极多晶硅层电阻值的方法，它包括下列步骤：提供一个已形成有隔离结构的半导体衬底；在该半导体衬底上依序形成一个栅极氧化层、一个栅极非晶硅层以及一个金属硅化物层；在该半导体衬底上形成一个图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩膜对该栅极氧化层、该栅极多晶硅层与该金属硅化物层进行刻蚀；以选自硅、锗、氟的离子对该栅极非晶硅层进行离子注入；以该栅极结构为掩膜，对该半导体衬底进行源极、漏极轻掺杂工艺；对该半导体衬底进行退火，以使栅极非晶硅层的非晶硅结构形成多晶硅结构；以及在该栅极结构两侧壁各形成一个间隙壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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