[发明专利]稀土硫代氧化物晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200410053303.6 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1587446A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 苏良碧;徐军;张连翰;杨卫桥;周国清;董永军;赵志伟;赵广军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/46 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级，高质量的稀土硫代氧化物(Re2O2S)和稀土元素掺杂的稀土硫代氧化物(Re′:Re2O2S)单晶体毛胚。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 氧化物 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，其特征在于该方法是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。
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