[发明专利]高耐压半导体器件

摘要

本发明提供一种高耐压半导体器件，较宽地确保电阻性场极板的间隙，且实现高耐压特性。将在衬底上的半导体层的表面区域形成的内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，用电阻性场极板连接。该电阻性场极板包括：配置成包围第一主电极且从第一主电极依次靠近第二主电极的多个旋转场极板；以及连接相邻的旋转场极板的连接场极板。在多个旋转场极板所产生的间隙上方，通过层间绝缘膜设置导电性场极板，当向第一及第二主电极间施加电压时，在与电阻性场极板之间形成电容。

主权项

1.一种高耐压半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体层，形成在所述衬底上；横向型半导体元件，形成在所述半导体层的表面区域，具有内侧的第一主电极和外侧的第二主电极，在所述第一和第二主电极间流过主电流；场绝缘膜，在所述第二主电极的内侧形成于所述半导体层上，包围所述第一主电极；电阻性场极板，具有：多个旋转场极板，分别形成在所述场绝缘膜上，被配置成包围所述第一主电极、且从所述第一主电极依次靠近所述第二主电极，具有大致旋转形状，其最内侧的所述旋转场极板与所述第一主电极连接、最外侧的所述旋转场极板与所述第二主电极连接；连接场极板，连接相邻的所述旋转场极板；以及导电性场极板，在所述多个旋转场极板所产生的间隙上方，通过层间绝缘膜形成浮置状态，在对所述第一和第二主电极间施加电压时，在与所述电阻性场极板之间形成电容。