[发明专利]电子束装置，和制造用于该装置的隔离件的方法无效
| 申请号： | 200410046092.3 | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1574178A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 广池太郎;山崎康二;安藤洋一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J31/12 | 分类号： | H01J31/12;H01J29/02;H01J29/86;H01J9/02;H01J9/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电子束装置，其中具有涂敷基底材料表面的高电阻薄膜的隔离件插入在具有电子发射元件和行方向导线的后板，与具有金属背壳的面板之间。行方向导线和金属背壳经由高电阻薄膜电连接。隔离件附近的电子发射元件附近的电场保持基本上恒定，不管隔离件与隔离件附近的电子发射元件之间的位置关系。当面向行方向导线的隔离件的第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是10－200。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 装置 制造 用于 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子束装置，包括：第一衬底，其具有电子发射元件和第一导电元件；第二衬底，其具有设置成与第一导电元件的电势不同的电势的第二导电元件；以及隔离件，其具有覆盖基底材料表面的高电阻薄膜，该隔离件插入在所述第一导电元件和所述第二导电元件之间，处于接触所述第一导电元件和所述第二导电元件的状态，所述第一导电元件与所述第二导电元件经由高电阻薄膜电连接，其中，当面向第一导电元件的所述隔离件的第一衬面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R1表示，并且邻近于电子发射元件的侧面上的高电阻薄膜的方片电阻值由R2表示时，R2/R1是2-200。
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