[发明专利]在存储单元中迅速储存数据而无电压损耗的方法及装置无效
| 申请号： | 200410045501.8 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1574085A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 尹锡撤;李在真 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储装置，尤其是一种在重新储存和写入数据时，用于防止储存在存储单元中的数据的可靠性降低的装置和方法。本发明的半导体存储装置包括：用于提高外部电压电平，然后产生第一高压电平的高压产生器；用于响应命令信号，发出在重新储存区和写入区激活的拉升控制信号的拉升控制信号产生器；用于输出来自所述高压产生器的所述第一高压电平，或提高所述高压电平，以产生第二高压脉冲电平的拉升单元，以响应来自所述拉升控制信号产生器的拉升控制信号，其中第二高压脉冲电平高于第一高压电平；以及在重新储存区和写入区，用于使用第一高压电平驱动字线WL，和用于使用来自拉升单元的第二高压脉冲电平驱动字线WL的字线驱动器。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 迅速 储存 数据 电压 损耗 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：用于提高外部电压电平，然后产生第一高压电平的高压产生装置；用于响应命令信号，发出在重新储存区和写入区激活的拉升控制信号的拉升控制信号产生装置；用于输出来自所述高压产生装置的所述第一高压电平，或提高所述高压电平，以产生第二高压脉冲电平的拉升单元，以响应来自所述拉升控制信号产生装置的拉升控制信号，其中第二高压脉冲电平高于第一高压电平；以及在重新储存区和写入区，用于使用第一高压电平驱动字线WL，和用于使用来自拉升单元的第二高压脉冲电平驱动字线WL的字线驱动装置。
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