[发明专利]具备静态型的存储单元的半导体存储器无效
| 申请号： | 200410044501.6 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1551238A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 芦田基 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;G11C11/34;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由用在N型阱(254)内形成的P型的第1和第2杂质区(202、204)和栅电极(218)构成的P沟道MOS晶体管构成在存储节点与位线之间设置的存取晶体管。由钨等的高熔点金属构成埋入布线(224)，以层叠方式被设置在上述存取晶体管和P型阱(256)的主表面上形成的驱动晶体管的上部。构成作为负载元件的P沟道TFT的多晶硅膜(270)在已被平坦化的埋入布线(224)的上部隔着层间绝缘膜(268)而被成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具备 静态 存储 单元 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：存储数据的存储单元；以及连接到上述存储单元上的字线和位线对，上述存储单元包含：第1倒相器，用第1驱动元件构成，上述第1驱动元件由第1负载元件和N沟道MOS晶体管构成；第2倒相器，与上述第1倒相器进行交叉连接，用第2驱动元件构成，上述第2驱动元件由第2负载元件和N沟道MOS晶体管构成；第1和第2存储节点，分别连接到上述第1和第2倒相器的输出节点上；以及第1和第2门元件，各自用其栅电极连接到上述字线上的P沟道MOS晶体管构成，分别将上述第1和第2存储节点连接到上述位线对的一方和另一方的位线上，在衬底表面上形成的上述第1驱动元件和上述第1门元件上以层叠方式设置了构成上述第1存储节点的第1金属布线，在上述衬底表面上形成的上述第2驱动元件和上述第2门元件上以层叠方式设置了构成上述第2存储节点的第2金属布线，在上述第1和第2金属布线的上部设置了上述第1和第2负载元件。
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