[发明专利]紫外线照射方法和使用该方法的装置有效
| 申请号： | 200410039904.1 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531016A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 大川雄士 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 吴明华 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于向一工件发生紫外线光线的紫外线照射装置。例如为一半导体晶片的工件通过施加在晶片背侧表面上的一紫外线敏感胶带而由一环形框架来保持。该装置包括一紫外线照射部分，该部分具有设置在支承座下方位置中的一调节件。该调节件用来限制晶片的向下移位。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 照射 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于向一工件和一框架发射紫外线光线的紫外线照射方法，该框架通过施加在工件背侧表面上的一紫外线敏感胶带来保持所述工件，所述方法包括：向工件发射紫外线光线的同时、在紫外线照射所述工件时支承由所述框架所保持的所述工件的下表面的一步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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