[发明专利]真空处理装置和基板传送方法有效
| 申请号： | 200410032743.3 | 申请日： | 2004-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1538502A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 寄特利彦;丹羽慎治;保坂聪树;北泽贵;三田淳夫;佐藤义隆 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 蚀刻处理装置(1)具备传送腔(2)，多个处理腔(3、4)，多个盒腔(7、8)，在传送腔(2)内设置传送机构(14)。在传送机构(14)的动作停止了预定时间及预定时间以上之际，控制装置(17)关闭对设置有该传送机构的传送腔(2)进行真空排气的真空排气机构的开闭阀(15)，并停止真空泵(16)的动作。据此，可以实施节省能量而不引起生产性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 传送 方法 | ||
【主权项】：
1、一种真空处理装置，其特征在于，具备：用于收存被处理基板、在真空环境下对所述被处理基板实施处理的处理腔；通过开闭机构与所述处理腔连接的传送腔；设置于所述传送腔内的、传送所述被处理基板的传送机构；使所述传送腔内排气到真空环境的真空泵；介插于所述传送腔和所述真空泵之间的开闭阀；以及在所述传送机构的动作停止预定时间及预定时间以上之际，关闭所述开闭阀，停止所述真空泵的动作的控制手段。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社;株式会社东芝，未经东京毅力科创株式会社;株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410032743.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
