[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410030123.6 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1536628A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 小岩进雄 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种可实现低成本而且高性能的纵型MOSFET的制造方法。通过用离子注入法对半导体衬底注入杂质并进行热氧化，可使由沟槽和半导体衬底平坦部形成的形状变得平滑。由此提高了栅绝缘膜耐压。此外，在本发明的半导体器件的制造方法中，由于在形成沟槽并在上述沟槽内形成栅电极后，形成成为源的N+扩散层，所以因N+扩散层的再扩散而引起的源与漏之间的漏泄电流不至增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：在第一导电类型的半导体衬底上形成第二导电类型的半导体层的工序；在上述第二导电类型的半导体层内引入杂质的工序；形成贯通上述第二导电类型的半导体层、抵达上述第一导电类型的半导体衬底的沟槽的工序；在上述第一导电类型的半导体衬底表面、上述第二导电类型的半导体层表面、上述沟槽的侧部和底部形成绝缘膜的工序；在上述沟槽内形成栅电极的工序；以及在上述第二导电类型的半导体层内形成第一导电类型的高浓度层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
