[发明专利]强电介质膜的形成方法有效
| 申请号： | 200410028749.3 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1531033A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;滨田泰彰;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469;C23C16/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，包括：开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜的工序；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核的工序；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
