[发明专利]基板处理方法和基板处理装置无效
| 申请号： | 200410028731.3 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531029A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 铃木聪;富藤幸雄 | 申请（专利权）人： | 大日本屏影象制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强;郑建晖 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在把冲洗液供给到基板的表面而处理基板的场合，可以减少冲洗液(纯水)的使用量的方法。在基板(W)被向水洗处理部(10)的处理腔(12)内搬入的当初，从入口喷嘴(20)与上部喷雾嘴(22)向基板供给冲洗液，然后，在基板被从处理腔(12)内搬出之前，从上部喷雾嘴(22)与下部喷雾嘴(24)向基板供给冲洗液。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，在处理腔内一边搬送基板，一边从配置于前述处理腔的入口附近向基板的上面幕状地喷出冲洗液的入口喷嘴，以及，夹着基板搬送路在其上方和下方分别沿着基板搬送路连续设置并向基板的上面和下面喷出冲洗液的上部喷雾嘴和下部喷雾嘴，分别对基板供给冲洗液而处理基板，其特征在于，其中备有：(a)在基板被搬入前述处理腔内的当初，从前述入口喷嘴与前述上部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(b)在前述(a)工序结束后，直到基板被从前述处理腔内搬出前，从前述上部喷雾嘴与前述下部喷雾嘴向基板供给冲洗液的工序，(c)在从基板被搬入处理腔内以后到经过规定时间前，废弃从前述处理腔的底部所排出的使用过的冲洗液的工序，以及(d)在前述(c)工序结束后，直到基板被从处理腔内搬出前，向回收槽回收使用过的冲洗液而再使用的工序，向前述处理腔所搬送的基板，是剥离处理后的基板，并在上面附着有含胺剥离液，前述冲洗液是二氧化碳溶解于纯水中的冲洗液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
