[发明专利]荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器有效
| 申请号： | 200410028419.4 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1551698A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | M·雷德克;J·费希尔 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 龚海军;梁永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 淬火 器件 以及 使用 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种基于荧光淬火器件(PQD)的显示器，所说的显示器包括：一个基板；一个发射体层；一个透明的安排在发射体层前侧的第一电极层；和设置在发射体层后侧的一个第二电极层；至少一个空穴势垒层或一个电子势垒层，空穴势垒层和/或电子势垒层设置在发射体层与第一电极层和第二电极层中的一个之间，其中空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。
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