[发明专利]一种磁控等离子体装置无效

专利信息
申请号: 200410025115.2 申请日: 2004-06-11
公开(公告)号: CN1585588A 公开(公告)日: 2005-02-23
发明(设计)人: 孙卓;孙懿 申请(专利权)人: 上海纳晶科技有限公司;华东师范大学
主分类号: H05H1/12 分类号: H05H1/12;H05H1/10
代理公司: 上海德昭专利事务所 代理人: 程宗德;石昭
地址: 201109*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种磁控等离子体装置,属真空等离子体沉积和刻蚀装置的技术领域,含真空腔体、基片架、等离子体产生电源、沉积气源和真空泵,它还含线圈和激磁电源,线圈跨接在激磁电源的两端,线圈套在真空腔体外,有利用线圈产生的磁场有效地控制低温等离子体,使等离子体的密度增加和分布均匀,从而增大薄膜材料沉积或刻蚀的速率和提高薄膜材料沉积或刻蚀的均匀性等优点。
搜索关键词: 一种 等离子体 装置
【主权项】:
1.一种磁控等离子体装置,含真空腔体(1)、基片架(3)、等离子体产生电源(4)、沉积气源(6)和真空泵(7),真空腔体(1)是由不锈钢材料制成的空心球体、空心圆柱或空心正直棱柱,真空腔体(1)含抽气口(11)、抽气管(70)、抽气阀门(71)、进气口(10)、进气管(60)、进气阀门(61)和基片架引出电极(30),真空腔体(1)内装有基片架(3),真空腔体(1)与基片架引出电极(30)绝缘密封连接,抽气口(11)经抽气管(70)通过抽气阀门(71)与真空泵(7)连接,进气口(10)经进气管(60)通过进气阀门(61)与沉积气源(6)连接,真空腔体(1)内的压强为10-3~105Pa,等离子体产生电源(4)的频率和功率分别为0~1GHz和20~10000W,等离子体产生电源(4)的两个输出端(40)、(41)分别与真空腔体(1)的外壳和基片架引出电极(30)连接,其特征在于,它还含线圈(2)和激磁电源(5),线圈(2)由绝缘导线缠绕而成,线圈(2)套在真空腔体(1)外,激磁电源(5)为电流可调的直流稳压电源,激磁电源(5)的两个输出端,正端(51)和负端(52)分别与线圈(2)的两个端头,始端(20)和末端(21)或末端(21)和始端(20)连接,线圈(2)的内部空间有载激磁电流线圈(2)产生的磁场。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海纳晶科技有限公司;华东师范大学,未经上海纳晶科技有限公司;华东师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410025115.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top