[发明专利]氘化磷酸二氘铵晶体及生长方法无效
| 申请号： | 200410011665.9 | 申请日： | 2004-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1796617A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 崔传鹏;曾金波;林秀钦;潘建国;林羽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/08 | 分类号： | C30B7/08;C30B29/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氘化磷酸二氘铵晶体及其生长方法，属于晶体生长领域。氘化磷酸二氘氨晶体属于四方晶系的－42m点群，晶胞参数为a＝7.5，c＝7.55，分子量为118：KDP、K D＊P、ADP的电光系数分别为：r63＝11.0×10－12m/v、r63＝24.1×10－12m/v、r41＝23.41×10－12m/v。本晶体具有较大的电光系数、优良的铁电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氘化 磷酸 二氘铵 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、氘化磷酸二氘铵晶体属于四方晶系的-42m点群，晶胞参数为a＝7.5，c＝7.55，分子量为118。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410011665.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种异常状态提示系统及方法
- 下一篇：便携式巡检机和装置
