[发明专利]用于处理晶片的设备和方法无效
| 申请号： | 200410007021.2 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1525529A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李建衡;赵显浩;蔡熙善;李善溶;李寿雄;郑在亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种用于制造半导体器件的设备和方法。根据本发明，用于将晶片从晶片存储容器传送到晶片处理设备的晶片传送装置包括用来减小可能进入晶片容器的杂质量的流动室。该晶片传送设备提供用于允许两种气体流过传送设备的流动室的两个气体入口。这些导致减小能进入晶片容器的杂质的数量，依次导致用更可靠的性能特征以及高制造成品率制造器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 晶片 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理晶片的设备，包括：具有第一气体入口的流动室，第一气体入口允许第一气体在流动室中流动；在其处晶片进入流动室的晶片入口，晶片入口连接到晶片存储装置；在其处晶片退出流动室的晶片出口，晶片出口适合于连接到晶片处理设备；在流动室中用于将晶片从晶片入口移动到晶片出口的机械手设备；以及允许第二气体进入流动室，以致第二气体与第一气体结合并流入晶片存储装置，以致减小进入晶片存储装置的杂质数量的第二气体入口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
