[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 200410004100.8 | 申请日： | 2004-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1525528A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 西冈慎二;坂井光广;村上卓人;田尻健一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明中，由于相应于基板的种类进行气缸的切换，所以能够防止在基板的成品区域转印支持销的痕迹。此外，在本发明中，由于以平台为基准驱动支持销升降，所以能够使气缸的驱动量比较少，而且能够极力抑制微粒的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：保持部，被设置成能够升降，并且至少保持基板的周缘部；第1驱动部，驱动所述保持部的升降动作；第1支持部件，支持基板的第1区域；第2支持部件，支持与基板的所述第1区域不同的第2区域；第2驱动部，相应地切换所述第1支持部件和所述第2支持部件并使其相对于所述保持部升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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